ถือว่านี้เป็นกระบวนการผลิต FinFET node จากทาง Intel เป็นรุ่นที่สามและเป็น 10nm design อย่างแท้จริง, ซึ่งจะไม่เหมือนเจ้าอื่นๆที่ไม่ได้ใช้มาตรฐานทางด้านขนาดหรือสมการที่แท้จริงของ “10nm” technologies”. หากกล่าวถึงทางด้าน “size/ขนาด” ที่จะมาผลิตตัว node.
หากจะกล่าวตามจริง, ห้องทดลองเจ้าอื่นๆหรือ fabs มักจะใช้คำว่า ??nm มาทำการตลาดแต่ไม่คำนึงถึงสิ่งที่กล่าวออกมานั้นมันไม่สามารถจับต้องได้จริงๆในกระบวนการผลิต processing node ของเค้าเหล่านั้น, ตัวอย่างเช่น จากทาง TSMC ที่อ้างว่ากระบวนการผลิตที่ได้รับการปรับปรุงขึ้นมาใหม่ของ 16nm FinFET node สามารถผลิตเป็น 12nm, แต่ตามความเป็นจริงแล้วขนาดของตัว node นั้นไม่ได้เปลี่ยนไปจากเดิม.
Intel น่าจะเป็นเป็นห้องทดลองเดียวที่มีมาตรฐานที่แท้จริงและสามารถกล่าวได้ว่าใช้กระบวนการผลิตตามขนาดนั้นจริง.
สำหรับ gate pitch/ช่องว่างระหว่างขา ของ Intel 10 nm process ลดลงจาก 70 nm ไปเป็น 54 nm และ metal pitch/รูที่ขาเสียบ ลดลงจาก 52 nm ไปเป็น 36 nm. ด้วยขนาดที่ลดลงขนาดนี้สามารถเพิ่มความหนาแน่นของ logic transistor ได้มากถึง 100.8 mega transistors per/ต่อ mm2, เทียบเป็น 2.7 เท่ามากกว่ารุ่นที่แล้ว Intel 14 nm technology และหากเทียบกับเจ้าอื่นๆที่เรียกตัวเองว่า 10 nm technologies จะหนาแน่นกว่าถึงสองเท่า.
หากจะถามว่าทำไม Intel ไม่เริ่ม 10nm นี้ตั้งนานแล้วอาจจะเป็นเพราะว่าไม่มีความจำเป็น, เพราะแต่ละเจ้านั้นยังไม่ใช่ของแท้ โดยเฉพาะกับ TSMC ที่ออกมาประกาศว่าได้นำเอากระบวนการผลิต 7nm ออกมาใชัก้นแล้วก็ตาม, แต่ก็หาใช่ไม่ในสิ่งที่จับต้องได้.
หากจะกล่าวถึงกระบวนการผลิตของ Intel ตั้งแต่รุ่นแรกยันย่างเข้า 10nm สามารถกล่าวได้ว่าตัวเลขในด้านประสิทธิภาพนั้นเพิ่มขึ้นมาทีละ 25% ซึ่งไม่ว่าจะเป็นทางด้านขนาดและประสิทธิภาพนั้นของจริงทั้งสิ้น
Intel 10 nm process สามารถเพิ่มประสิทธิภาพจากรุ่นที่แล้วมากกว่า 25 เปอร์เซนต์ และใช้ไฟต่ำกว่าถึง 45 เปอร์เซนต์หากเทียบกับ 14 nm technology. ณ ขณะนี้ทาง Intel มีเวอร์ชั่นปรับปรุงขึ้นมาใหม่ เป็นกระบวนการผลิตแบบ 10 nm process ที่เรียกว่า 10++, สามารถเพิ่มประสิทธิภาพได้ถึง 15 เปอร์เซนต์และใช้ไฟน้อยกว่าถึง 30 เปอร์์เซนต์.
หากทุกอย่างเป็นไปตามที่ประกาศ, Intel จะเป็นอีกครั้งที่เป็นผู้นำทางด้านนี้หรือ silicon fabrication. หากจะยกตัวอย่างให้เห็นชัดเจนสามารถดูได้จาก TSMC 7nm process node และเทียบกับ Intel 10nm, คุณจะเห็นได้ว่า Intel node นั้นมีขนาดที่เล็กกว่าซึ่งของฝั่งสีฟ้าจะมี gate pitch/metal pitch ที่ 52nm/36nm ส่วนของ TSMC จะเป็น gate pitch/metal pitch ที่ 54nm/38nm.
ที่มาเครดิต/Sources:
You must be logged in to post a comment.