เพื่อกำจัดข้อจำกัดของการออกแบบชิปประมวลผล ล่าสุด SAMSUNG เตรียมผลิตชิป 3nm ด้วยนวัตกรรม GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistors) ในปี 2021
การออกแบบ GAAFET เป็นการต่อยอดจาก FinFET ซึ่งในส่วนของสถาปัตยกรรมการออกแบบผมจะยังไม่ขอลงรายละเอียดมาก แต่จากข้อมูลกล่าวว่า มันได้เปรียบในเรื่องลดการสูญเสียของพลังงาน, เพิ่มจำนวนทรานซิสเตอร์ได้มากขึ้น ทำให้การใช้พลังงานลดลง ในขณะที่สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของการประมวลผลได้
สำหรับเทคโนโลยี GAAFET นี้ SAMSUNG ตั้งใจว่าในปี 2020 จะออกชิป 4nm ก่อน รวมถึงภายในปลายปีนี้ จะมีการผลิตชิป 7nm ที่ใช้เทคโนโลยีการผลิตด้วย EUV ส่วน TSMC จะใช้การผลิตด้วย EUV ในชิป 7nm+ ครับ
หาก SAMSUNG สามารถทำได้ดังที่คาดการณ์ไว้ อีกไม่กี่ปีก็จะกลายเป็นผู้นำด้านการผลิตชิป (แต่ไม่ได้หมายความว่า TSMC จะไม่สามารถตีตื้นขึ้นมาได้นะ) และข่าวลือว่า NVIDIA อาจจะให้ SAMSUNG เป็นผู้ผลิตชิปการ์ดจอก็น่าจะเป็นจริงด้วย
ขอขอบคุณข้อมูลจาก Overclock3D
You must be logged in to post a comment.