SAMSUNG เปิดตัวแรม "HBM2E" เพิ่มแบนด์วิดธ์มากขึ้นอีก 33%

หากพูดถึงแรม HBM แล้ว หลายๆ คนน่าจะทราบถึงจุดเด่นของแรมชนิดนี้ดี นั่นก็คือขนาดที่เล็ก กินพื้นที่น้อย และยังมีแบนด์วิดธ์มหาศาล เหมาะกับการรับส่งข้อมูลขนาดใหญ่

และวันนี้ข้ามไปอีกขั้นด้วยแรม HBM2E หรืออีกชื่อหนึ่ง Flashpoint มาตรฐานใหม่จาก SAMSUNG ซึ่งได้มีการเพิ่มแบนด์วิดธ์มากขึ้นกว่าเดิมถึง 33% ในขณะที่ยังสามารถเพิ่มความจุต่อ 1 โมดูลได้มากถึง 16GB

หากลองเปรียบเทียบความเร็วให้เห็นภาพมากขึ้น HBM2E 1 โมดูล จะมีแบนด์วิดธ์อยู่ที่ 410 GB/s ซึ่งเท่ากับ HBM2 2 โมดูลของ Radeon RX Vega 56 หรือถ้าเกิดว่าแรมตัวนี้ถูกนำไปใช้ใน Radoen VII ที่เดิมมีแบนด์วิดธ์ 1024 GB/s จะกลายเป็นว่าได้แบนด์วิดธ์เพิ่มเป็น 1640 GB/s