TSMC จะเริ่มสายพานผลิต 10nm ในไตรมาสแรกของปี 2017, เพื่อเตรียมการให้พร้อมสำหรับวงจรอุปกรณ์เคลื่อนที่และในคอมระดับ high-performance ASICs/(application-specific integrated circuit) สำหรับปีนี้
อ้างอิงจากทาง TSMC ที่ออกมาให้ข่าวอย่างเป็นทางการ, กระบวนการผลิต 10nm FinFET จะมีขนาด die scaling หรือขนาดที่เล็กลงมาถึง 50 เปอร์เซนต์, พร้อมด้วยประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นถึง 20% (หรือการใช้พลังงานที่ลดลงถึง 40%). เป้าหมายที่วางเอาไว้คือสร้างจุดที่สัมผ้สบนฐานใหม่นี้หรือตัว Die ให้หนาแน่นขึ้นแบบสมเหตุสมผล. ทางบริษัทได้เริ่มการทดลองสำหรับ 10nm ปีที่ผ่านมาและกำลังพัฒนาให้กับทาง Apple สำหรับชิปตัวใหม่ล่าสุด. แต่ก็ยังไม่ถึงกับเข้าสู่กระบวนการผลิตแบบสายพานสำหรับ 10nm, และตารางเวลาก็จะเปิดสายพานภายในไตรมาสแรกของปีนี้ 2017.
ข่าวนี้ถือว่าเป็นข่าวดี ซึ่งจะทำให้เทคโนโลจีใหม่นี้สามารถสร้าง 10nm GPUs ได้ไม่น่าเกินครึ่งปีแรกของปี 2018 (หากทุกอย่างเป็นไปได้ด้วยดี). เพราะหากมีการเปลี่ยนหรือพัฒนากระบวนการผลิตขึ้นใหม่ มันจะต้องใช้เวลาเป็นปีกว่า กระบวนการผลิตนั้นๆเข้ารูปเข้ารอยและสามาถผลิต high-performance ASICs หรือตัววงจรนี้ออกมาได้สมบูรณ์. มีการคาดเดากันไว้ว่าทางบริษัทอาจจะมีปัญหากับกระบวนการผลิตนี้แน่นอนสำหรับ 10nm FinFET node แต่ด้วยความเก๋าและชำนาญของ TSMC น่าจะผ่านพ้นไปได้ด้วยดีและตรงตามเวลา.
หากทุกอย่างเดินไปตามแผน, แน่นอนมันจะมีการเปลี่ยนแปลงที่เกิดขึ้น, และหากเทียบกระบวนการผลิตของทาง Intel’s 14nm process นัันจะเท่ากับ TSMC 10nm FinFET process และอย่างที่รู้กันว่า ตอนนี้ทาง Intel มีปัญหาเกี่ยวกับขนาดของตัว Die ที่จะต้องพัฒนาให้มันหนาแน่นมากขึ้นหรือ node shrink. ทาง TSMC จะใช้สิ่งที่มีอยู่หรือ 14nm backbone/กระบวนการ เพื่อมาปรับใช้กับกระบวนการผลิตแบบ 10nm FinFET process และมันจะไม่แปลกใจเลยหากทางบริษัทจะมีปัญหาเกิดขึ้น. หากไม่มีก็จะทำให้กระบวนการผลิตเกิดขึ้นจริงในไตรมาสแรกของปี 2017. ซึ่งมันจะพร้อมสำหรับอุปกรณ์เคลื่อนที่หรือคอมในระดับบนๆสามารถนำ high-performance ASICs ไปใช้และทดลองได้.
ด้วยขนาดที่เล็กลง50% die scaling และการใช้พลังงานที่ลดลง 40% reduction in power นี้มันหมายความว่าเราจะได้เห็นประสิทธิภาพที่มีมากขึ้นกว่าปีที่แล้ว. หากจำกันได้ 16nm FinFET process กระบวนการผลิตหากกล่าวกันทางด้านวิชาการก็ยังไม่ถึงขั้นที่นำมาใช้ประโยชน์แบบเต็มที่สำหรับ GPUs/ตลาดผู้บริโภคทั่วไป – แม้กระทั้งตัว 1080 Ti ก็ยังนั่งอยู่บน 471mm2 die ส่วน GTX 1080 ก็ใช้ขนาดที่เล็กกว่า. ข้อจำกัดของ TSMC’s 300mm wafers นั้นจะอยู่ที่ 600mm2 สำหรับใครที่สนใจ, เพราะฉนั้นมันยังมีช่องว่างที่ยังเหลืออีกเยอะสำหรับกระบวนการผลิตแบบ ณ ปัจจุบันและรุ่นต่อไปที่กำลังจะเข้ากระบวนการผลิต. ซุึ้งมันจะไม่เหมือนกับ 28nm node, และแน่นอนความมันส์ย่อมเกิดขึ้นแน่นอนสำหรับปีๆต่อไปนี้ เพราะประสิทธิภาพที่จะมีมาให้นั้นมันย่อมทวีคูณตามไปด้วย.
ที่มาเครดิต/Sources:
http://wccftech.com/tsmc-10nm-volume-production-2017/